-
1 напряжение затвор-подложка
напряжение затвор-подложка
-
Обозначение
UЗП
UGB
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
- gate-substrate (d. c.) voltage
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > напряжение затвор-подложка
-
2 напряжение затвор-подложка
- gate-substrate (d. c.) voltage
напряжение затвор-подложка
-
Обозначение
UЗП
UGB
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
- gate-substrate (d. c.) voltage
DE
FR
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение затвор-подложка
-
3 напряжение затвор-подложка
напряжение затвор-подложка
-
Обозначение
UЗП
UGB
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
- gate-substrate (d. c.) voltage
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение затвор-подложка
-
4 напряжение затвор подложка
nmicroel. Gate-Substrat-SpannungУниверсальный русско-немецкий словарь > напряжение затвор подложка
-
5 напряжение затвор-подложка
interj.electr. Gate-Substrat-SpannungУниверсальный русско-немецкий словарь > напряжение затвор-подложка
-
6 максимально допустимое напряжение затвор-подложка
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое напряжение затвор-подложка
-
7 максимально допустимое напряжение затвор-подложка
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое напряжение затвор-подложка
-
8 максимально допустимое напряжение затвор-подложка
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое напряжение затвор-подложка
-
9 tension (continue) grille-substrat
напряжение затвор-подложка
-
Обозначение
UЗП
UGB
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
- gate-substrate (d. c.) voltage
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension (continue) grille-substrat
-
10 Gate-Substrat-Spannung
напряжение затвор-подложка
-
Обозначение
UЗП
UGB
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
- gate-substrate (d. c.) voltage
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Gate-Substrat-Spannung
-
11 gate-substrate (d. c.) voltage
напряжение затвор-подложка
-
Обозначение
UЗП
UGB
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
- gate-substrate (d. c.) voltage
DE
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > gate-substrate (d. c.) voltage
-
12 Gate-Substrat-Spannung
Универсальный немецко-русский словарь > Gate-Substrat-Spannung
-
13 tension maximale grille-substrate
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension maximale grille-substrate
-
14 maximal zulässige Gate-Bulk-Spannung
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximal zulässige Gate-Bulk-Spannung
-
15 maximum gate-substrate voltage
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximum gate-substrate voltage
-
16 Gate-Substrat-Spannung
Deutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen > Gate-Substrat-Spannung
См. также в других словарях:
напряжение затвор-подложка — Обозначение UЗП UGB [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы EN gate substrate (d. c.) voltage DE Gate Substrat Spannung FR tension (continue) grille substrat … Справочник технического переводчика
максимально допустимое напряжение затвор-подложка — Обозначение UЗПmax UGBmax [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы EN maximum gate substrate voltage DE maximal zulässige Gate Bulk Spannung FR tension maximale grille substrate … Справочник технического переводчика
Источник опорного напряжения — Источник, или генератор, опорного напряжения (ИОН) базовый электронный узел, поддерживающий на своём выходе высокостабильное постоянное электрическое напряжение. ИОН применяются для задания величины выходного напряжения стабилизированных… … Википедия
ГОСТ 25532-89: Приборы с переносом заряда фоточувствительные. Термины и определения — Терминология ГОСТ 25532 89: Приборы с переносом заряда фоточувствительные. Термины и определения оригинал документа: 21. Абсолютная неравномерность выходного сигнала ФППЗ Разность максимального и минимального значений выходного сигнала ФППЗ по… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Графен — Пожалуйста, актуализируйте данные В этой статье данные предоставлены преимущественно за 2007 2008 гг … Википедия
ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА — (ИС), микроэлектронная схема, сформированная на крошечной пластинке (кристаллике, или чипе ) полупроводникового материала, обычно кремния, которая используется для управления электрическим током и его усиления. Типичная ИС состоит из множества… … Энциклопедия Кольера
КВАНТОВЫЕ РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ — изменение термодинамич. и кинетич. свойств кристалла, когда хотя бы один из его геом. размеров становится соизмеримым с длиной волны де Бройля l Б электронов. К. р. э. обусловлены квантованием движения электрона в направлении, в к ром размер… … Физическая энциклопедия